[发明专利]通过多激光束照射将在基板上形成的半导体膜划分成多个区域的方法无效
| 申请号： | 200980143338.X | 申请日： | 2009-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102203943A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | J·京斯特;I·西尼科 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康太阳能股份公司（特吕巴赫） |
| 主分类号： | H01L27/142 | 分类号： | H01L27/142;B23K26/42;B23K26/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;蒋骏 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过多激光束照射将在基板上形成的半导体膜划分成多个区域的方法，该多激光束照射使用影响所述膜的基本上相同的区的至少两个激光束处理的序列。除了最终激光束处理，至少两个激光束处理的所述序列的处理被用于调整将被移除的经处理的膜区。应用所述最终激光束处理以实际上移除材料从而形成凹槽。此外，本发明涉及一种通过多激光束照射将在基板上形成的半导体膜划分成多个区域的装置，该多激光束照射使用影响所述膜的基本上相同的区的至少两个激光束处理的序列。所述装置包括用于除了最终激光束处理的、至少两个激光束处理的所述序列的处理的第一调整激光器并且所述装置包括用于所述最终激光束处理的第二激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 激光束 照射 基板上 形成 半导体 分成 区域 方法 | ||
【主权项】：
一种通过多激光束照射将在基板上形成的半导体膜划分成多个区域的方法，所述多激光束照射使用影响所述膜的基本上相同的区的至少两个激光束处理的序列，其特征在于，除了最终激光束处理，至少两个激光束处理的所述序列的处理被用于调整将被移除的经处理的膜区，并且在于应用所述最终激光束处理以实际上移除材料从而形成凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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