[发明专利]具有电子反射绝缘间隔层的通量闭合STRAM有效
| 申请号： | 200980143740.8 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102216995A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | Y·郑;D·季米特洛夫 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了具有镜绝缘间隔层的通量闭合自旋转移矩存储器。通量闭合的自旋转移矩存储单元包括多层自由磁性元件，其包括通过电绝缘且电子反射层反铁磁地耦合到第二自由磁性层的第一自由磁性层。电绝缘且非磁性隧穿阻挡层将自由磁性元件与参考磁性层分离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电子 反射 绝缘 间隔 通量 闭合 stram | ||
【主权项】：
一种自旋转移矩存储单元，包括：多层自由磁性元件，所述多层自由磁性元件包括第一自由磁性层，所述第一自由磁性层通过电绝缘且电子反射层反铁磁地耦合到第二自由磁性层；参考磁性层；以及将所述自由磁性元件与所述参考磁性层分离的电绝缘且非磁性隧穿阻挡层。
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