[发明专利]用于碱性蚀刻溶液尤其是纹理蚀刻溶液的添加剂及其制备方法无效
| 申请号： | 200980144503.3 | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102217047A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 艾哈尔·米尔因克;杰恩斯·库因伯格;米歇尔·施米特;米歇尔·迈切尔 | 申请（专利权）人： | GP太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;C09K13/02 |
| 代理公司： | 北京金恒联合知识产权代理事务所 11324 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 德国康*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种可利用至少由一种聚乙二醇与一种碱混合(10)而成的产品(64)，在空气环境中和温度大约25℃的条件下静置(12)该混合物(52)使它形成两相(56，58)，然后分离较低浓度的产品(64)；本发明还涉及该产品作为蚀刻溶液的添加物的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 碱性 蚀刻 溶液 尤其是 纹理 添加剂 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种产品(64)，该产品可利用以下处理获得：把至少一种聚乙二醇与一种碱混合，使该混合物(52)在空气环境中和大约25℃的温度下静置，直到形成两相(56，58)，分离(16)较低浓度的相(56)，该较低浓度的相代表了产品。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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