[发明专利]用于制造发射辐射的薄膜器件的方法和发射辐射的薄膜器件有效
| 申请号： | 200980144647.9 | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102210032A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 汉斯-于尔根·卢高尔;克劳斯·施特罗伊贝尔;马丁·斯特拉斯伯格;赖纳·温迪施;卡尔·恩格尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;周涛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在用于制造发射辐射的薄膜器件(1)的方法的至少一个实施形式中，该方法具有以下步骤：-提供衬底(2)，-在衬底(2)上生长纳米棒(3)，-在纳米棒(3)上外延生长具有至少一个有源层(5)的半导体层序列(4)，-在半导体层序列(4)上施加支承体(6)，以及-通过至少部分损坏纳米棒(3)将半导体层序列(4)和支承体(6)与衬底(2)分开。通过这种制造方法，可以减少半导体层序列(4)中由通过生长引起的机械应力和裂纹。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 发射 辐射 薄膜 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造发射辐射的薄膜器件(1)的方法，其具有以下步骤：‑提供衬底(2)，‑在衬底(2)上生长纳米棒(3)，‑在纳米棒(3)上外延生长具有至少一个有源层(5)的半导体层序列(4)，‑在半导体层序列(4)上施加支承体(6)，以及‑通过至少部分损坏纳米棒(3)将半导体层序列(4)和支承体(5)与衬底(2)分开。
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