[发明专利]具有侧壁泄露保护的MEMS器件封装有效
| 申请号： | 200980144743.3 | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102209683A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 格雷亚·J·A·费尔海登;格哈德·库普斯 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种制造MEMS器件的方法包括形成MEMS器件元件14。在所述器件元件上提供牺牲层20并在牺牲层上提供封装覆盖层24。在牺牲层的上方形成分隔层13，并被刻蚀来限定邻近牺牲层外侧壁的分隔部分。这些改进了覆盖层24侧壁的密封。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 侧壁 泄露 保护 mems 器件 封装 | ||
【主权项】：
一种制造MEMS器件的方法，包括：形成MEMS器件元件(14)；在器件元件(14)上方形成已构图牺牲层(20)；在牺牲层上方形成分隔层(13)；刻蚀分隔层(13)，以限定邻近牺牲层(20)外侧壁的分隔部分(23)以及从牺牲层(20)的顶部完全去除分隔层(13)；在牺牲层(20)和分隔部分(23)上形成封装覆盖层(24)；在封装覆盖层(24)中限定至少一个开口(25)；通过所述至少一个开口(25)去除牺牲层(20)，从而在器件元件(14)上形成封装空间；以及密封所述至少一个开口(25)。
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