[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200980145701.1 | 申请日： | 2009-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102216996A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 饭田真久 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/407 | 分类号： | G11C11/407 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 以对在复位动作时设定的负电压的字线复位电平电压(Vw)进行锁存来存储的方式，由PMOS晶体管(QP1～2)和NMOS晶体管(QN1～2)来基本构成字线驱动器(120a)。并且，将应力缓和用的PMOS晶体管(QP4)和NMOS晶体管(QN3)追加到字线驱动器(120a)中，并追加字线偏压控制电路(210)，其在字线置位时、复位开始时和复位期间，将提供偏压控制为有效。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其具备根据多个字线选择地址信号而被选择的字线驱动器，其中，关于所述字线驱动器，置位电平是第1电压，复位电平是第2电压，只在字线的非选择时在内部形成锁存器，并使用所述锁存器来将所述字线的电压保持在所述复位电平。
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