[发明专利]鳍式场效应晶体管(FINFET)有效
| 申请号： | 200980145755.8 | 申请日： | 2009-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102217074A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 乔尔本·多恩柏斯;罗伯特·兰德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;张志杰 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管，它的鳍(12)具有一上部分(30)与一下部分(32)，上部分(30)进行了第一导电类型的掺杂，下部分(32)进行了第二导电类型的掺杂；其中上部分(30)与下部分(32)之间的结(34)作为二极管；鳍式场效应晶体管还包括：至少一层高k介电材料层(26，28)(例如，Si3N4)，相邻于鳍(12)的至少一侧，当上部分(30)连接到一第一电位且下部分(32)连接到一第二电位从而产生穿过结(34)的电位降时，相较于如果不存在该至少一层高k介电材料层的情况，该至少一层高k介电材料层(26，28)用于更均匀地重新分配该二极管上的电位降。高k介电材料的k值例如是k≥5，k≥7.5，与k≥20。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 finfet | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管(100，200)，包括：一半导体基材(20)，具有一鳍(12)；该鳍(12)具有一上部分(30)与一下部分(32)，该上部分(30)掺杂一具有第一导电类型的掺杂质，该下部分(32)掺杂一具有第二导电类型的掺杂质；其中该上部分(30)与该下部分(32)之间的结(34)作为一二极管；该鳍式场效应晶体管(100，200)还包括：至少一层高k介电材料层(26，28)，相邻于该鳍(12)的至少一侧，当该上部分(30)连接到一第一电位且该下部分(32)连接到一第二电位从而产生穿过该结(34)的一电位降时，相较于如果不存在该至少一层高k介电材料层的情况，该至少一层高k介电材料层(26，28)用于更均匀地重新分配该二极管上的电位降。
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