[发明专利]表膜用膜、与TFT液晶面板制造用掩模一起使用的表膜、及包含该表膜的光掩模有效
| 申请号： | 200980145885.1 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102216850A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 柳田好德;金子靖;阿部泰之;小川博司;村井诚;新地博之;土屋雅誉;本田邦之;田中友和;桥本宪尚 | 申请（专利权）人： | 旭化成电子材料株式会社;HOYA株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够防止在光刻工序中在硬铬掩模上产生生长性杂质的表膜及表膜用膜、以及包含该表膜的光掩模。本发明的表膜用膜，其主要膜材料为光学用有机高分子，在70℃下72小时的换算成每微米膜厚的草酸透过量为1.0×10-3mg/cm2以下。 | ||
| 搜索关键词： | 表膜用膜 tft 液晶面板 制造 用掩模 一起 使用 包含 光掩模 | ||
【主权项】：
一种表膜用膜，其在70℃下72小时的换算成每微米膜厚的草酸透过量为1.0×10‑3mg/cm2以下，主要膜材料为光学用有机高分子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭化成电子材料株式会社;HOYA株式会社，未经旭化成电子材料株式会社;HOYA株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980145885.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
