[发明专利]具有已图案化导电性高分子膜的基板的制造方法及具有已图案化导电性高分子膜的基板无效

专利信息
申请号: 200980146041.9 申请日: 2009-11-18
公开(公告)号: CN102217009A 公开(公告)日: 2011-10-12
发明(设计)人: 井原孝 申请(专利权)人: 东亚合成株式会社;鹤见曹达株式会社
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;G03F7/40;G03F7/42;H01B5/14;H05K1/09;H05K3/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 蒋亭
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种剥离性优良且在从导电性高分子膜剥离抗蚀膜时抑制导电性聚合物膜端部的变色的、具有图案化导电性高分子膜的基板的制造方法。该制造方法特征在于,依次包含以下工序:形成在基板上依次具有导电性高分子膜和图案化抗蚀膜的基板的工序;根据抗蚀膜的图案蚀刻导电性高分子膜的工序;及利用剥离液剥离导电性高分子膜上的抗蚀膜的工序,所述剥离液含有有机溶剂(A)5~40重量%与有机溶剂(B)60~95重量%,所述有机溶剂(A)选自由N-烷基吡咯烷酮、羧酸酰胺化合物、二烷基亚砜及醚化合物构成的组,所述有机溶剂(B)选自由烷内酯、碳酸亚烷基酯及多元醇构成的组。
搜索关键词: 具有 图案 导电性 高分子 制造 方法
【主权项】:
一种具有已图案化的导电性高分子膜的基板的制造方法,其特征在于,依次包含以下工序:形成在基板上依次具有导电性高分子膜和已图案化的抗蚀膜的基板的工序;根据抗蚀膜的图案蚀刻导电性高分子膜的工序;及利用剥离液剥离导电性高分子膜上的抗蚀膜的工序,所述剥离液含有有机溶剂(A)和有机溶剂(B),所述有机溶剂(A)选自由N‑烷基吡咯烷酮、羧酸酰胺化合物、二烷基亚砜及醚化合物构成的组,所述有机溶剂(B)选自由烷内酯、碳酸亚烷基酯及多元醇构成的组,所述有机溶剂(A)的含量为剥离液的5重量%以上40重量%以下,且所述有机溶剂(B)的含量为剥离液的60重量%以上95重量%以下。
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