[发明专利]用于形成导电材料的方法、用于选择性地形成导电材料的方法、用于形成铂的方法及用于形成导电结构的方法

摘要

本发明揭示选择性地形成导电材料的方法及形成金属导电结构的方法。可图案化有机材料以暴露下伏材料的若干区域。可将所述下伏材料暴露于前驱物气体(例如，铂前驱物气体)，所述前驱物气体与所述下伏材料反应而不与所述有机材料的位于所述下伏材料上方的剩余部分反应。可在原子层沉积过程中使用所述前驱物气体，在所述过程期间所述前驱物气体可选择性地与所述下伏材料反应以形成导电结构，但不与所述有机材料反应。举例来说，可在半导体装置制造的各种阶段期间将所述导电结构用作掩模来进行图案化。

主权项

一种选择性地形成导电材料的方法，其包括：移除有机材料及下伏材料中的每一者的一部分以形成延伸穿过所述有机材料且至少部分地延伸到所述下伏材料中的至少一个开口；清洁由所述至少一个开口所暴露的表面；及在至少一个开口中选择性地形成导电材料。