[发明专利]用于基材处理的高温测定有效
| 申请号： | 200980146289.5 | 申请日： | 2009-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN102217033A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 凯拉什·基兰·帕塔雷;阿伦·缪尔·亨特;布鲁斯·E·亚当斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;王金宝 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种基材处理系统，包括：处理腔室；底座，用以支撑设置于所述处理腔室内的基材；及光学高温测定组件，耦接至所述处理腔室以量测实质上源自所述底座或基材的一部分的发射光。所述光学高温测定组件还包括光接收器及光学侦测器。所述光学高温测定组件接收所述发射光的一部分，且所述基材的温度是根据所述发射光的所述部分在至少一个波长附近的强度而确定。一种在处理期间量测基材的温度的方法包括：在支撑所述基材的底座的一部分或底座附近设置光管；使所述光管的末端屏蔽杂散光，以使得所述光管的所述末端接收来自所述底座或基材的所述部分的光；用气体净化所述光管的所述末端，以减少所述光管的所述末端的污染；侦测自所述底座发射且由所述光管接收的光的一部分；及根据来自所述底座或所述基材的所述发射光的所述部分在至少一个波长附近的强度而确定所述基材的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 基材 处理 高温 测定 | ||
【主权项】：
一种基材处理系统，包含：处理腔室；底座，用以支撑设置于所述处理腔室内的基材；光学高温测定组件，用以量测实质上源自所述底座的边缘的发射光，所述光学高温测定组件包含：光接收器；及光学侦测器；其中所述光学高温测定组件接收所述发射光的一部分；且其中所述底座的温度是由所述发射光的所述部分在至少一个波长附近的强度而确定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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