[发明专利]像素电路、固态摄像器件和相机系统有效
| 申请号： | 200980146674.X | 申请日： | 2009-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102224730A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 西原利幸 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H04N5/3745 | 分类号： | H04N5/3745;H04N5/359;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李渤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 转移晶体管(112)具有在光电转换元件(111)和放大电路之间集成地串联连接的第一、第二和第三场效应晶体管(1121-1123)。第一和第二场效应晶体管被配置为第一和第二场效应晶体管的栅电极被同时共同驱动。第一场效应晶体管的阈值电压被设置为高于第二场效应晶体管的阈值电压。随着第一、第二和第三场效应晶体管的栅电极被逐步驱动，由光电转换元件生成并经由第一场效应晶体管转移的电荷被累积在第二场效应晶体管的沟道区中。累积在沟道区中的电荷经由第三场效应晶体管被转移到放大电路的输入。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 电路 固态 摄像 器件 相机 系统 | ||
【主权项】：
一种像素电路，包括：光电转换元件；放大电路；以及能够将由所述光电转换元件生成的电荷转移到所述放大电路的输入节点的转移晶体管，其中所述转移晶体管具有从所述光电转换元件朝向所述放大电路一侧集成地串联连接的第一、第二和第三场效应晶体管，所述第一和第二场效应晶体管的栅电极被同时共同驱动，并且所述第一场效应晶体管的阈值电压被设置为高于所述第二场效应晶体管的阈值电压，并且随着所述栅电极被逐步驱动，由所述光电转换元件生成并经由所述第一场效应晶体管转移的电荷被累积在所述第二场效应晶体管的沟道区中，并且累积在所述沟道区中的电荷经由所述第三场效应晶体管被转移到所述放大电路的输入，并且其中所述放大电路驱动信号线，使得所累积的电荷被读取。
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