[发明专利]溅射装置、溅射方法和电子器件制造方法有效
| 申请号： | 200980147190.7 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN102227514A | 公开（公告）日： | 2011-10-26 |
| 发明（设计）人： | 北田亨;渡边直树;长井基将 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01F41/18;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种溅射装置配备有：基板保持器(22)，在基板的待处理面的面方向上可旋转地保持基板(21)；基板侧磁体(30)，在基板(21)的待处理面处形成磁场，并且被布置在基板(21)周边；阴极(41)，用于产生放电的功率被施加到该阴极(41)，并且，该阴极(41)被布置在基板(21)的斜上方；位置检测单元(23)，检测基板(21)的旋转位置；和控制器(5)，根据由位置检测单元(23)检测的旋转位置来控制用于产生放电的功率。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 装置 方法 电子器件 制造 | ||
【主权项】：
一种溅射装置，其特征在于包括：基板保持器，保持基板以使该基板能够沿基板的处理面的面方向旋转；基板磁场形成装置，被布置在基板周围，用于在基板的处理面上形成磁场；阴极，被布置在与基板斜向对置的位置处，并且接收放电功率；位置检测装置，用于检测基板的旋转位置；和功率控制装置，用于根据由所述位置检测装置检测的旋转位置来控制向所述阴极施加的功率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能安内华股份有限公司，未经佳能安内华股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980147190.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
