[发明专利]应用于RFID和其他应用的高导电性聚合物厚膜银导体组合物有效
| 申请号： | 200980147766.X | 申请日： | 2009-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102224190A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | J·R·多尔夫曼 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08K3/08;H01Q1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了由银薄片和有机介质组成的并用于无线射频识别(RFID)的厚膜银组合物。本发明进一步涉及使用RFID电路或其他使用聚合物厚膜(PTF)的电路形成天线的一种或多种方法。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 rfid 其他 应用 导电性 聚合物 厚膜银 导体 组合 | ||
【主权项】：
聚合物厚膜组合物，所述聚合物厚膜组合物包含(a)50‑85重量％的银薄片和硬脂酸表面活性剂，所述银薄片具有至少3微米的平均粒度，至少10％的颗粒大于7微米(b)15‑50重量％的有机介质，所述有机介质包含i.16‑25重量％的乙烯基共聚物树脂ii.75‑84重量％的有机溶剂。
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