[发明专利]发射辐射的半导体芯片有效
| 申请号： | 200980147817.9 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102227807A | 公开（公告）日： | 2011-10-26 |
| 发明（设计）人： | 于尔根·莫斯布格尔;诺温·文马尔姆;帕特里克·罗德;卢茨·赫佩尔;卡尔·恩格尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L27/15;H01L33/38;H01L33/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;周涛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出了一种发射辐射的半导体芯片(1)，其具有支承体(5)和带有半导体层序列的半导体本体(2)。在带有半导体层序列的半导体本体(2)中形成发射区域(23)和保护二极管区域(24)。半导体层序列包括被设置用于产生辐射的有源区(20)，该有源区被设置在第一半导体层(21)与第二半导体层(22)之间。第一半导体层(21)被设置在有源区(20)的背离支承体(5)的侧上。发射区域(23)具有凹进部(25)，该凹进部延伸穿过有源区。第一半导体层(21)在发射区域(23)中导电地与第一连接层(31)连接，其中第一连接层在凹进部(25)中从第一半导体层(21)朝向支承体(5)的方向延伸。第一连接层在保护二极管区域(24)中与第二半导体层(22)导电连接。此外，还提出了一种用于制造发射辐射的半导体芯片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 辐射 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
一种发射辐射的半导体芯片(1)，其具有支承体(5)和带有半导体层序列的半导体本体(2)，其中‑在带有半导体层序列的半导体本体(2)中形成发射区域(23)和保护二极管区域(24)；‑半导体层序列包括被设置用于产生辐射的有源区(20)，该有源区设置在第一半导体层(21)与第二半导体层(22)之间；‑第一半导体层(21)设置在有源区(20)的背离支承体(5)的侧上；‑发射区域(23)具有凹进部(25)，该凹进部延伸穿过有源区(20)；‑第一半导体层(21)在发射区域(23)中导电地与第一连接层(31)连接，其中第一连接层(31)在凹进部(25)中从第一半导体层(21)朝向支承体(5)的方向延伸；以及‑第一连接层(31)在保护二极管区域(24)中与第二半导体层(22)导电连接。
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