[发明专利]薄膜光电变换装置的制造方法有效
| 申请号： | 200980148258.3 | 申请日： | 2009-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102239571A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 时冈秀忠;山林弘也;折田泰 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/075 | 分类号： | H01L31/075;H01L27/142 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 包括：第1工序，以使相邻的薄膜光电变换单元之间电串联连接的方式，在透光性绝缘基板上，依次形成第1电极层、光电变换层、以及第2电极层，其中，该光电变换层是依次层叠了第1导电类型半导体层、第2导电类型半导体层和第3导电类型半导体层；第2工序，形成从所述第2电极层的表面到达所述第1电极层的分离槽，从而进行单元分离为多个薄膜光电变换单元；以及第3工序，在所述第2工序之后对所述光电变换层的所述分离槽的侧壁部进行氧化处理而使所述光电变换层的所述分离槽的侧壁部改性为绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 光电 变换 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜光电变换装置的制造方法，其特征在于，包括：第1工序，以使相邻的薄膜光电变换单元之间电串联连接的方式，在透光性绝缘基板上，依次形成第1电极层、光电变换层、以及第2电极层，其中，该光电变换层是依次层叠了第1导电类型半导体层、第2导电类型半导体层和第3导电类型半导体层；第2工序，形成从所述第2电极层的表面到达所述第1电极层的分离槽，从而进行单元分离为多个薄膜光电变换单元；以及第3工序，在所述第2工序之后对所述光电变换层的所述分离槽的侧壁部进行氧化处理而使所述光电变换层的所述分离槽的侧壁部改性为绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
