[发明专利]成膜设备以及成膜方法有效
| 申请号： | 200980148378.3 | 申请日： | 2009-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102232240A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 伊藤孝浩;中岛健次 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/24;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供能够抑制由副产品气体引起的成膜速度的下降的成膜设备以及成膜方法。成膜设备用于在晶片的表面上形成膜，并具有：腔室，在所述腔室的内部设置晶片；气体导入装置，所述导入装置向腔室内导入原料气体，所述原料气体通过在晶片的表面上反应而变成副产品气体和粘附到晶片的表面上的物质；以及逆反应装置，所述逆反应装置通过使腔室内的副产品气体反应来生成原料气体。 | ||
| 搜索关键词： | 设备 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种成膜设备，用于在晶片的表面上形成膜，所述成膜设备的特征在于，具有：腔室，在该腔室的内部设置晶片；气体导入装置，所述气体导入装置向腔室内导入原料气体，所述原料气体通过在晶片的表面上反应而变成副产品气体和粘附到晶片的表面上的物质；以及逆反应装置，所述逆反应装置通过使腔室内的副产品气体反应来生成原料气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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