[发明专利]具有倾斜侧壁的垂向结型场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明描述了一种半导体器件和制造该器件的方法。所述器件可以是结型场效应晶体管(JFET)。所述器件具有带有向内渐缩的倾斜侧壁的凸起区。所述侧壁可以与垂直于基板表面的方向形成5°以上的角。所述器件可以具有二重倾斜侧壁，其中，所述侧壁的下部与垂直方向形成5°以上的角，并且所述侧壁的上部与垂直方向形成＜5°的角。可以利用法向(即，0°)或接近法向入射的离子注入制造所述器件。器件具有相对均匀的侧壁掺杂，并且可以不使用有角度的注入而制得。

主权项

一种半导体器件，所述器件包含：第一导电类型的半导体材料的基板层；在所述基板层的上表面上的所述第一导电类型的半导体材料的沟道层，所述沟道层包含一个或多个凸起区，所述凸起区包含上表面和由下表面分开的第一侧壁和第二侧壁，其中，邻近所述下表面的凸起区的第一侧壁和第二侧壁向内渐缩并与垂直于所述基板层的上表面的方向形成至少5°的角，其中，所述一个或多个凸起区包含所述第一导电类型的半导体材料的内在部分和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的半导体材料的外在部分，其中，所述外在部分与所述第一侧壁和第二侧壁邻近；位于所述沟道层的下表面中的第二导电类型的半导体材料的栅区，所述沟道层与相邻凸起区的外在部分邻近并连接；和位于所述一个或多个凸起区的上表面上的所述第一导电类型的半导体材料的源层。