[发明专利]分子离子的离子植入技术无效

专利信息
申请号: 200980148521.9 申请日: 2009-10-06
公开(公告)号: CN102265385A 公开(公告)日: 2011-11-30
发明(设计)人: 克里斯多夫·R·汉特曼;克里斯多福·A·罗兰德 申请(专利权)人: 瓦里安半导体设备公司
主分类号: H01L21/265 分类号: H01L21/265
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 美国麻萨诸塞*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 揭示分子离子的离子植入技术。在一特定实施例中,此技术可实现为一种离子植入装置,其包括离子植入机,用来在预定的温度下将分子离子植入到目标材料中,以加强此目标材料的应力与非晶化至少其中之一,其中分子离子是在离子源内原位产生的。
搜索关键词: 分子 离子 植入 技术
【主权项】:
一种离子植入方法,所述方法包括:在预定的温度下,将分子离子植入到目标材料中,以加强所述目标材料的应力与非晶化至少其中之一,其中所述分子离子是在离子源内原位产生的。
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