[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光器件无效
| 申请号： | 200980148569.X | 申请日： | 2009-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102239575A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 金昌台;安贤睢;金贤锡 | 申请（专利权）人： | 艾比维利股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;张旭东 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及Ⅲ族氮化物半导体发光器件，更具体地，涉及如下的Ⅲ族氮化物半导体发光器件，其包括：多个Ⅲ族氮化物半导体层，它们包括具有第一导电类型的第一Ⅲ族氮化物半导体层、具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第二Ⅲ族氮化物半导体层以及置于第一Ⅲ族氮化物半导体层与第二Ⅲ族氮化物半导体层之间并通过电子和空穴的复合而发光的有源层；电连接到多个Ⅲ族氮化物半导体层的接合焊盘；设置在接合焊盘上的保护膜；以及设置在接合焊盘与保护膜之间并被形成为露出接合焊盘的缓冲垫。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种Ⅲ族氮化物半导体发光器件，该Ⅲ族氮化物半导体发光器件包括：多个Ⅲ族氮化物半导体层，它们包括具有第一导电类型的第一Ⅲ族氮化物半导体层、具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二Ⅲ族氮化物半导体层以及置于所述第一Ⅲ族氮化物半导体层与所述第二Ⅲ族氮化物半导体层之间并通过电子和空穴的复合而发光的有源层；接合焊盘，其电连接到所述多个Ⅲ族氮化物半导体层；保护膜，其设置在所述接合焊盘上；以及缓冲垫，其设置在所述接合焊盘与所述保护膜之间并形成为露出所述接合焊盘。
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