[发明专利]将结构引入衬底中的方法

摘要

本发明涉及用于产生微结构衬底的方法以及它们在自然科学和技术中的应用，特别是在半导体、微流体和分析设备中。涉及通过提供受控电气放电，引入诸如孔或空腔或沟道或井或凹进的结构或结构变化的方法。

主权项

一种在衬底或其区域中引入诸如孔或空腔或沟道或井或凹进的结构或诸如从结晶结构转变成非晶结构的结构变化的方法，所述方法包括步骤：a)提供室温条件下电绝缘或半导电的衬底，以及将其放置在连接到用户控制的电压供应的至少两个电极之间，b)通过所述用户控制的电压供应，将用户限定量值的电压施加到所述衬底的区域上，所述电压足以导致通过所述衬底或所述区域的电流增加，由此将限定数量的电能量施加到所述衬底；c)可选地，将另外的能量，优选热施加到所述衬底或所述区域，以便增加所述衬底或所述区域的温度和导电率，以便发起步骤b)中的电流流动，所述另外的能量，优选热源自于另外的能或热源或源自于在步骤b)中施加的所述电压的分量，d)耗散所述衬底中的在步骤b)中施加的所述电能量，其中，仅由(i)步骤b)的用户限定的施加电压量值，(ii)步骤b)的用户限定时间段，(iii)所述电压供应的阻抗，或(iv)(i)‑(iii)的任意组合，来控制步骤d)。