[发明专利]用于化学气相沉积的方法和设备无效
申请号: | 200980148688.5 | 申请日: | 2009-10-02 |
公开(公告)号: | CN102239277A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | E·A·阿穆尔;W·E·奎因;J·曼根 | 申请(专利权)人: | 威科仪器有限公司 |
主分类号: | C23C16/30 | 分类号: | C23C16/30;C23C16/48 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 曾旻辉;何冲 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种在基片(20)上沉积化合物半导体的方法,包括将气体反应物(30,34)导向到包含基片(20)的反应室(10)内,选择性地提供能量(31a,31b)至其中一种气体反应物(30,34),以便传递足够的能量来活化该反应物,但该能量不足以使该反应物产生分解,随后在基片(20)表面上分解反应物,以便与其它反应物反应。优选的能量源(31a,31b)为微波或红外辐射,实施这些方法的反应器也在此公开。 | ||
搜索关键词: | 用于 化学 沉积 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种在基片上沉积化合物半导体的方法,其特征在于,包括以下步骤:(a)在反应室内保持基片;(b)在反应室内引导多种气体反应物,将其沿下游方向从进气口导向基片的表面,所述多种气体反应物在所述基片的所述表面上相互反应,从而在所述基片上形成沉积物;(c)在所述进气口的下游和所述基片的上游处,选择性地将能量提供给所述多种气体反应物的其中之一,以便传递足以激活所述多种气体反应物的所述其中之一、但又不足以使所述多种气体反应物的所述其中之一分解的能量;且(d)使所述多种气体反应物在所述基片的所述表面处分解。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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