[发明专利]导电部件及其制造方法有效
| 申请号： | 200980148719.7 | 申请日： | 2009-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102239280A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 樱井健;石川诚一;久保田贤治;玉川隆士 | 申请（专利权）人： | 三菱伸铜株式会社 |
| 主分类号： | C25D7/00 | 分类号： | C25D7/00;C25D5/12;C25D5/50;H01R13/03 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 陈万青;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种导电部件及其制造方法，其具有稳定的接触电阻且不易剥离，并且在作为连接器使用时减小插拔力。在Cu系基材(1)的表面通过Ni系基底层(2)依次形成Cu-Sn金属间化合物层(3)、Sn系表面层(4)，并且Cu-Sn金属间化合物层(3)进一步由配置于Ni系基底层(2)上的Cu3Sn层(5)和配置于Cu3Sn层(5)上的Cu6Sn5层(6)构成，结合这些Cu3Sn层(5)及Cu6Sn5层(6)而得到的Cu-Sn金属间化合物层(3)在与Sn系表面层(4)接触的面具有凹凸，其凹部(7)的厚度(X)为0.05～1.5μm，并且Cu3Sn层(5)相对于Ni系基底层(2)的面积包覆率为60％以上，凸部(8)相对于Cu-Sn金属间化合物层(3)的凹部(7)的厚度(Y)的比率为1.2～5，Cu3Sn层(5)的平均厚度为0.01～0.5μm。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 部件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种导电部件，其特征在于，在Cu系基材的表面通过Ni系基底层依次形成Cu‑Sn金属间化合物层、Sn系表面层，并且Cu‑Sn金属间化合物层进一步由配置于所述Ni系基底层上的Cu3Sn层和配置于该Cu3Sn层上的Cu6Sn5层构成，结合这些Cu3Sn层及Cu6Sn5层而得到的所述Cu‑Sn金属间化合物层在与所述Sn系表面层接触的面具有凹凸，其凹部的厚度为0.05～1.5μm，并且Cu3Sn层相对于所述Ni系基底层的面积包覆率为60％以上，所述Cu‑Sn金属间化合物层的凸部相对于所述凹部的厚度比率为1.2～5，所述Cu3Sn层的平均厚度为0.01～0.5μm。
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