[发明专利]制造由硅或硅基材料构成的结构化粒子的方法及其在锂可充电电池中的用途

摘要

本发明了提供蚀刻硅以形成柱体的方法，所述柱体尤其用作Li离子电池中的活性阳极材料，该方法在工业规模下的运行简单，因为其使用仅含少量需要控制浓度的成分的蚀刻浴，并且其在运行上比之前的方法廉价。该蚀刻溶液包含：5至10M、例如6至8M HF，0.01至0.1M Ag+离子，0.02至0.2M NO3-离子，和任选地，SiF62-离子，碱金属或铵离子，和附带的添加物和杂质。在蚀刻过程中追加NO3-离子，例如以碱金属或铵的硝酸盐形式添加，以使硝酸根离子浓度保持在上述范围内。

主权项

蚀刻硅以在蚀刻表面上形成硅柱的方法，该方法包括：用蚀刻溶液处理硅，例如硅颗粒或块状材料，所述蚀刻溶液包含：5至10M HF，例如6至8M HF0.01至0.1M Ag+离子0.02至0.2M NO3‑离子，和追加NO3‑离子，例如以碱金属或铵的硝酸盐形式，以使硝酸根离子的浓度保持在上述范围内；和将被蚀刻的硅与溶液分离。