[发明专利]太阳能电池检测装置、检测方法、计算机程序及检测系统无效
申请号: | 200980148957.8 | 申请日: | 2009-10-02 |
公开(公告)号: | CN102239567A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 下斗米光博;石川诚;笹部耕司 | 申请(专利权)人: | 日清纺控股株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种可用于判别应作为缺陷被检出的暗区域的太阳能电池检测装置。本发明的太阳能电池检测装置10包含:图像获取部13,获取通电状态下太阳能电池单元的单元图像;裂纹位置信息生成部14,特定在单元图像中亮度比周围低的线状画素群、并生成裂纹的位置信息;暗区域位置信息生成部15,特定在单元图像中由亮度在一定值以下的画素聚集成的面积在一定值以上的画素群、并生成太阳能电池单元中暗区域的位置信息;暗区域判断部16,根据暗区域及裂纹的位置关系、判断所述暗区域是否由所述裂纹造成的。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 检测 装置 方法 计算机 程序 系统 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池检测装置,包含:图像获取部,获取通电状态下一个或多个太阳能电池单元的单元图像;裂纹位置信息生成部,特定在所述单元图像中亮度比周围低的线状画素群、并生成所述太阳能电池单元中裂纹的位置信息;暗区域位置信息生成部,特定在所述单元图像中由亮度在一定值以下的画素聚集成的面积在一定值以上的画素群、并生成所述太阳能电池单元中暗区域的位置信息;以及暗区域判断部,根据暗区域及裂纹的位置关系、判断所述暗区域是否由所述裂纹造成的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日清纺控股株式会社,未经日清纺控股株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980148957.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的