[发明专利]薄膜半导体光生伏打装置有效
| 申请号： | 200980149003.9 | 申请日： | 2009-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102239569A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | V·A·巴加瓦图拉;G·E·科恩克 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/052 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 基本透明的基材，其具有第一和第二主表面以及多个侧表面；薄膜半导体层，该薄膜半导体层与所述基材的第一主表面连接，包括第一和第二主表面以及其中的至少一个光敏性p-n结；以及光导向功能元件，该功能元件可以进行操作，使得入射光以波导模式传播通过基材射入半导体层，使得光在半导体层的第一和第二主表面之间多次反射，多次照射在p-n结上。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体 光生伏打 装置 | ||
【主权项】：
一种光生伏打装置，其包括：基本透明的基材，其包括第一和第二主表面，以及多个侧表面；薄膜半导体层，其具有第一和第二主表面，所述半导体层与所述基材的第一主表面连接，包括第一和第二主表面，该半导体层中具有至少一个光敏性p‑n结；以及光导向功能元件，其可以进行操作，使得入射光以波导模式传播通过所述基材进入半导体层，使得所述光在所述半导体层的第一和第二主表面之间反射多次，多次照射在p‑n结上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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