[发明专利]连续进给式化学气相沉积

摘要

本发明的实施方式一般涉及一种用于在连续化学气相沉积(CVD)工艺过程中形成多层材料的方法。在一个实施方式中，一种用于在连续CVD工艺过程中形成多层材料的方法被提供，该方法包括连续地推进多个晶片通过具有至少四个沉积区的沉积系统。多层材料被沉积在每个晶片上，以便在每个沉积区处沉积一层。该方法提供推进每个晶片通过每个沉积区，同时从第一沉积区沉积第一层、从第二沉积区沉积第二层、从第三沉积区沉积第三层、以及从第四沉积区沉积第四层。本文所述的实施方式可被用于在晶片或基底上形成各类材料，尤其是在GaAs晶片上形成III/V族材料。

主权项

一种用于在连续化学气相沉积工艺过程中形成多层材料的方法，所述方法包括：连续地推进多个晶片通过沉积系统，其中，所述沉积系统包括第一沉积区、第二沉积区、第三沉积区和第四沉积区；在所述第一沉积区内在第一晶片上沉积缓冲层；在所述第二沉积区内在所述第一晶片上沉积牺牲层，同时在所述第一沉积区内在第二晶片上沉积所述缓冲层；在所述第三沉积区内在所述第一晶片上沉积钝化层，同时在所述第二沉积区内在所述第二晶片上沉积所述牺牲层，并且同时在所述第一沉积区内在第三晶片上沉积所述缓冲层；以及在所述第四沉积区内在所述第一晶片上沉积砷化镓活性层，同时在所述第三沉积区内在所述第二晶片上沉积所述钝化层，同时在所述第二沉积区内在所述第三晶片上沉积所述牺牲层，并且同时在所述第一沉积区内在第四晶片上沉积所述缓冲层。