[发明专利]薄膜晶体管及显示装置有效
| 申请号： | 200980150030.8 | 申请日： | 2009-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102246310A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 乡户宏充;小林聪;宫入秀和;伊佐敏行;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 减少利用栅电极对半导体层进行遮光的底栅型薄膜晶体管的截止电流。一种薄膜晶体管包括：栅电极层；第一半导体层；设置在所述第一半导体层上并与其接触的第二半导体层；在所述栅电极层和所述第一半导体层之间并与它们接触的栅极绝缘层；接触于所述第二半导体层的杂质半导体层；以及部分地接触于所述杂质半导体层和所述第一及第二半导体层的源电极层及漏电极层。由所述栅电极层覆盖所述第一半导体层在栅电极层一侧上的整个表面，并且所述第一半导体层和所述源电极层及漏电极层接触的部分的势垒为0.5eV以上。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅电极层；第一半导体层；设置在所述第一半导体层上并与所述第一半导体层相接触的第二半导体层，其中，所述第二半导体层的载流子迁移率低于所述第一半导体层的载流子迁移率；设置在所述栅电极层和所述第一半导体层之间并与它们相接触的栅极绝缘层；设置为接触于所述第二半导体层的杂质半导体层；设置为部分接触于所述杂质半导体层中的一个、所述第一半导体层以及所述第二半导体层的源电极层；以及设置为部分接触于所述杂质半导体层中的另一个、所述第一半导体层以及所述第二半导体层的漏电极层，其中，所述第一半导体层在所述栅电极层上的整个表面重叠于所述栅电极层，且其中，所述第一半导体层和所述源电极层或所述漏电极层相接触的部分的势垒大于等于0.5eV。
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