[发明专利]还原低温基底上的薄膜的方法无效
| 申请号： | 200980150327.4 | 申请日： | 2009-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102245804A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | D·S·波普;K·A·施罗德;I·M·罗森 | 申请（专利权）人： | NCC纳诺责任有限公司 |
| 主分类号： | C23C18/00 | 分类号： | C23C18/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 彭飞;林柏楠 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了在基底上制造导电薄膜的方法。先将可还原的金属化合物和还原剂分散在液体中。然后将该分散体以薄膜形式沉积在基底上。然后使所述薄膜与所述基底一起暴露于脉冲电磁发射，以使所述可还原的金属化合物与所述还原剂化学反应，从而使所述薄膜变导电。 | ||
| 搜索关键词： | 还原 低温 基底 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
在基底上制造导电薄膜的方法，所述方法包括：将可还原的金属化合物和还原剂分散在液体中；将所述分散体以薄膜形式沉积在基底上；和使所述薄膜与所述基底一起在环境气氛中暴露于脉冲电磁发射，以使所述可还原的金属化合物与所述还原剂进行化学反应，从而使所述薄膜导电。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
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