[发明专利]在等离子体处理系统中控制离子能量分布有效
| 申请号： | 200980150484.5 | 申请日： | 2009-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102257886A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 安德里亚斯·费舍尔;艾利克·哈德森 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H05H1/36 | 分类号： | H05H1/36;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用等离子体处理至少衬底的等离子体处理系统。等离子体处理室能够控制离子能量分布。所述等离子体处理系统可包括第一电极。所述等离子体处理系统还可包括不同于所述第一电极、配置为支承所述衬底的第二电极。所述等离子体处理系统还可包括与所述第一电极耦合的信号源。在所述等离子体处理系统中处理所述衬底时，所述信号源可通过所述第一电极提供非正弦信号以控制所述衬底上的离子能量分布，其中所述非正弦信号为周期性的。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 系统 控制 离子 能量 分布 | ||
【主权项】：
一种用等离子体处理至少衬底的等离子体处理系统，所述等离子体处理系统包括：第一电极；第二电极，所述第二电极不同于所述第一电极，所述第二电极配置为支承所述衬底；以及第一信号源，其与所述第一电极耦合，并在所述等离子体处理系统中所述第二电极上处理所述衬底时，配置为通过所述第一电极提供非正弦信号以控制所述衬底上的离子能量分布，所述非正弦信号是周期性的。
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