[发明专利]反射型掩模用低膨胀玻璃基板及其加工方法有效
| 申请号： | 200980150521.2 | 申请日： | 2009-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102246269A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 冈村研治;伊藤正文;小岛宏 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F1/16 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;车文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种反射型掩模用低膨胀玻璃基板，是作为半导体制造工序的光刻工序中使用的反射型掩模的基材的低膨胀玻璃基板，其中，沿该低膨胀玻璃基板的外周形成的侧面中的处于彼此相对的位置关系的2个侧面的平面度分别为25μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 型掩模用低 膨胀 玻璃 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种反射型掩模用低膨胀玻璃基板，是作为半导体制造工序的光刻工序中使用的反射型掩模的基材的低膨胀玻璃基板，其中，沿该低膨胀玻璃基板的外周形成的侧面中的处于彼此相对的位置关系的2个侧面的平面度分别为25μm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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