[发明专利]改善的RF CMOS晶体管设计有效
| 申请号： | 200980150543.9 | 申请日： | 2009-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102246305A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | R·赫贝霍尔茨 | 申请（专利权）人： | 剑桥硅无线电通信有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;夏青 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 描述了一种改善的RF??CMOS晶体管设计。基本位于晶体管的有源区域上方的局部窄互连线均连接到源极端子或漏极端子。与局部互连线正交地布置源极和漏极端子，每个端子比局部互连线显著更宽。在范例中，局部互连线形成于第一金属层中，源极和漏极端子形成于一个或多个后续金属层中。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 rf cmos 晶体管 设计 | ||
【主权项】：
一种适于在MOS工艺中制造的晶体管设计，所述晶体管设计包括：基本限于所述晶体管的有源区域(202)上方的多个局部互连线(206)；以及与所述多个局部互连线中的每一个局部互连线正交布置的源极端子和漏极端子(208，210)，其中每个端子电连接到至少一个局部互连线。
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