[发明专利]一氧化氮电子传感器有效
| 申请号： | 200980150677.0 | 申请日： | 2009-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102257384A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | S.塞塔耶什;N.P.威拉德;D.M.德利尤 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414;G01N27/416;G01N33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周铁;刘鹏 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开的是用于测定流体（例如呼出的气息）中的NO浓度的半导体装置（1）。该装置（1）典型地包括一对彼此隔开以在有机半导体（14）中限定沟道区域（16）的电极（18）、用于控制所述沟道区域的门结构（10）和至少部分交叠所述沟道区域的受体层（22），所述受体层包括卟吩或酞菁配位络合物，其包括III-XII族过渡金属离子或铅（Pb）离子，用于络合NO。这种半导体装置能够传感ppb范围的NO浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 一氧化氮 电子 传感器 | ||
【主权项】：
1.半导体装置（1），其包括一对彼此隔开以在有机半导体层（14）中限定沟道区域（16）的电极（18）、用于控制所述沟道区域的栅结构（10）和至少部分交叠所述沟道区域的受体层（22），所述受体层包括选自式I或式II的一氧化氮配位络合物：![]()
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其中M是Pb或选自第3-12族过渡金属的过渡金属离子，其中R是未取代或取代的亚芳基或亚杂芳基官能团，以及其中X是氮离子或卤素离子。
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