[发明专利]包括间隔斜坡的光伏电池及其制造方法无效
申请号: | 200980150839.0 | 申请日: | 2009-12-02 |
公开(公告)号: | CN102257627A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 布鲁斯·E·亚当斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明描述光伏电池及光伏电池的制造方法。该光伏电池的操作层沉积在具有多个间隔斜坡的覆板上以让个别电池可串联,且因为这些电池之间的无效空间而有最小的效率损失。 | ||
搜索关键词: | 包括 间隔 斜坡 电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造光伏电池的方法,其包含以下步骤:提供覆板,其具有前侧和背侧,该背侧其上具有多个间隔斜坡,该多个间隔斜坡包含斜坡表面和实质上与该覆板的该背侧垂直的垂直面;在该覆板的该背侧上沉积透明导电氧化物层,使得实质上无透明导电氧化物涂覆在该多个间隔斜坡的垂直面上;在该透明导电氧化物层上沉积硅层,使得沉积在该多个间隔斜坡的垂直面上的该硅层不接触位于该多个间隔斜坡的斜坡表面上的该透明导电氧化物层;在该硅层上沉积金属层,产生多个尖峰,其从所述斜坡表面延伸通过该金属层;以及除去延伸通过该金属层的该多个尖峰的至少一部分,以完成实质上平坦的表面,其延伸在该覆板上,以产生光伏电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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