[发明专利]光半导体装置用引线框、其制造方法及光半导体装置有效
| 申请号： | 200980151768.6 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102265417A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 小林良聪;小关和宏;菊池伸 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 曹立莉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光半导体装置用引线框，其在导电性基体1上形成有由银或银合金形成的层2，其中，具有由耐腐蚀性优异的金属或其合金形成的表层4作为最外层；在该表层的最表面部，耐腐蚀性优异的金属成分浓度为50质量％以上；在所述表层与所述由银或银合金形成的层之间，形成有作为所述表层的主成分的金属材料与银的固溶体层3。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 引线 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光半导体装置用引线框，其在导电性基体上形成有由银或银合金形成的层，其中，具有由耐腐蚀性优异的金属或其合金形成的表层作为最外层；在该表层的最表面部，耐腐蚀性优异的金属成分浓度为50质量％以上；所述表层的包覆厚度为0.001～0.25μm；并且，在所述表层与所述由银或银合金形成的层之间，形成有作为所述表层的主成分的金属材料与银的固溶体层。
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