[发明专利]添加前体至氧化硅化学气相沉积以增进低温间隙填充的方法

摘要

将氧化硅层沉积于基板上的方法涉及使一含硅前体、一氧化气体、水及一添加前体流入一处理腔室中以使得在整个该基板表面上达成一均匀的氧化硅生长速度。根据实施例生长的氧化硅层的表面在与该添加前体一起生长时可具有一降低的粗糙度。在本发明的其它方面中，氧化硅层是通过使一含硅前体、一氧化气体、水及一添加前体流入一处理腔室中来沉积于该表面上具有沟槽的一图案化基板上，从而使得这些沟槽得以填充，其中该氧化硅填充材料内的空隙具有减少的数量及/或减小的尺寸。

主权项

一种在处理腔室中的基板上形成氧化硅层的方法，包含：使含硅前体及氧化气体流入该处理腔室中；使添加前体流入该处理腔室中；及通过化学气相沉积自该含硅前体、该氧化气体及该添加前体在该基板上形成氧化硅层，其中该添加前体促进整个基板上的氧化硅层的均匀生长速度且降低该氧化硅层的粗糙度。