[发明专利]对阻挡膜进行边缘密封的方法无效
| 申请号： | 200980151910.7 | 申请日： | 2009-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102256786A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 楚西;保罗·E·伯罗斯;艾里克·S·马斯特;彼得·M·马丁;戈登·L·格拉夫;马克·E·格罗斯;查尔斯·C·博纳姆;温蒂·D·贝纳特;迈克·G·霍尔;马丁·菲利普·罗森布拉姆 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | B32B27/00 | 分类号： | B32B27/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;薛义丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了制造边缘密封的包封环境敏感器件的方法。一种方法包括：在基底上设置具有接触件的环境敏感器件；与环境敏感器件相邻地沉积去耦层，去耦层具有不连续区域并且覆盖环境敏感器件而不覆盖接触件，利用印刷工艺沉积去耦层；与去耦层相邻地沉积第一阻挡层，第一阻挡层具有比去耦层的不连续区域大的第一区域，第一阻挡层具有覆盖去耦层和接触件的第二区域，去耦层密封在第一阻挡层的边缘和基底的边缘之间或者密封在第一阻挡层的边缘和可选的第二阻挡层的边缘之间；从接触件去除第一阻挡层的第二区域。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡 进行 边缘 密封 方法 | ||
【主权项】：
一种制造边缘密封的包封环境敏感器件的方法，所述方法包括以下步骤：在基底上设置具有接触件的环境敏感器件；与环境敏感器件相邻地沉积去耦层，去耦层具有不连续区域并且覆盖环境敏感器件而不覆盖接触件，利用印刷工艺沉积去耦层；与去耦层相邻地沉积第一阻挡层，第一阻挡层具有比去耦层的不连续区域大的第一区域并且覆盖去耦层，第一阻挡层具有覆盖接触件的第二区域，去耦层密封在第一阻挡层的边缘和基底的边缘之间或者密封在第一阻挡层的边缘和可选的第二阻挡层的边缘之间；从接触件去除第一阻挡层的第二区域。
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