[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 200980151949.9 | 申请日： | 2009-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN102265391A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | A·斯特拉伯尼 | 申请（专利权）人： | 斯泰翁公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 张颖玲;迟姗 |
| 地址： | 法国比*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种结构，该结构包括通过烧结硅粉形成的第一层和由单晶硅制成的第二层，并且该结构在第一层和第二层之间包括或者不包括扩散势垒层或绝缘层。本发明可以用于光伏工业和各种领域，例如，电子学、微电子学、光学和光电子学领域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种结构(1，30，40)，其包括通过烧结硅粉形成的第一层(2，32，42)和由单晶硅制成的第二层(4，34，44)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
