[发明专利]新型有机半导体化合物、其制造方法、以及含有其的有机半导体组合物、有机半导体薄膜和元件有效

专利信息
申请号: 200980151987.4 申请日: 2009-12-23
公开(公告)号: CN102264698A 公开(公告)日: 2011-11-30
发明(设计)人: 韩成焕;赵天圭 申请(专利权)人: 株式会社LUMINANO
主分类号: C07D209/04 分类号: C07D209/04;C07D209/02
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 周文强;李献忠
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及新型多环芳香族有机半导体化合物、其制造方法、含有前述化合物的有机半导体组合物、有机半导体薄膜和电子、光学或电子光学用元件。本发明的新型有机半导体化合物具有高的晶性和调节能力从而在制造有机半导体元件时易于调节掺杂条件、可以用于多种用途,前述化合物可以低成本大量生产,且前述化合物对有机溶剂的溶解性好,在半导体元件等的制造中可以应用液相工序,进而可以低成本大量生产半导体元件和太阳能电池。
搜索关键词: 新型 有机半导体 化合物 制造 方法 以及 含有 组合 薄膜 元件
【主权项】:
1.下述式1表示的多环芳香族有机半导体化合物,[式1]其中在式1中,A为选自由可以取代的5员不饱和或芳香族环、可以取代的6员不饱和或芳香族环、可以取代的5员不饱和或芳香族杂环以及可以取代的6员不饱和或芳香族杂环组成的群组中的1个环,或为选自前述群组中的2个以上的环融合而成的多环;表示与前述环A的末端分别融合的、可以具有取代基Y的1或多个吡咯环,m为至少是1的整数;Xn为结合到前述环A的独立地选自下述取代基群组G1的取代基,n为0或1以上的整数,取代基群组G1由以下组成:氢、卤素、氰基、硝基、羟基、取代或非取代的C1-C50烷基、取代或非取代的C1-C50烷氧基、取代或非取代的C5-C50环烷基、取代或非取代的C5-C50杂环烷基、取代或非取代的C6-C50芳基、取代或非取代的C2-C50杂芳基、胺基、羧基、酸酐、酯基、硫代羧基、二硫代羧基、磺酸基、亚磺酸基、次磺酸基、磺酰基、亚磺酰基、卤代酰基、氨甲酰基、酰肼基、亚胺基、酰胺基、脒基、异氰基、氰酸酯基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、甲酰基、硫代甲酰基、酰基、巯基、氨基、亚氨基、肼基、烷氧基、芳氧基、醚基、硫醚基、二硫基、甲硅烷基、甲锗烷基、甲锡烷基、膦基和硼烷基;或者,Xn表示分别与环A的末端融合的1或多个环,其中n为0或1以上的整数,X表示选自由5员芳香族环、可以取代的6员芳香族环、可以取代的5员不饱和杂环或芳香族杂环和可以取代的6员不饱和杂环或芳香族杂环组成的群组中的1个环,或2个以上的环融合而成的多环,其中每个X可以具有1或多个选自前述取代基群组G1的取代基;以及Y为结合到前述吡咯环的、选自前述取代基群组G1的取代基,或者,前述Y表示融合到前述吡咯环的选自由5员芳香族环、可以取代的6员芳香族环、可以取代的5员不饱和或芳香族杂环和可以取代的6员不饱和或芳香族杂环组成的群组中的1个环、或2个以上的环融合而成的多环,这种情况下,前述Y可以具有1或多个选自前述取代基群组G1的取代基。
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