[发明专利]电容隔离的失配补偿型读出放大器有效
| 申请号： | 200980152021.2 | 申请日： | 2009-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102265396A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | J·E·小巴特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明的一个实施例，例如DRAM数据存储单元阵列(108)的读出放大器包括一个或多个串联在一起的放大器级(102、104)。所述放大器级(102、104)一起形成DRAM阵列(108)的读出放大器。每个放大器级都包括一个隔离电容器(114)，以将每个放大器级内的晶体管的阈值电压之间的任何失配减少至相对较小的值。来自DRAM存储器单元阵列(108)的位线(106)连接至第一放大器级(102)。来自最后放大器级(104)的输出端连接至写回开关(112)，写回开关(112)的输出端连接至所述第一放大器级(102)的输入端处的位线(106)。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 隔离 失配 补偿 读出 放大器 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：第一放大器级，其上施加有一输入信号；其中所述第一放大器级包括并联的隔离电容器和电容器分流开关，所述输入信号施加到所述隔离电容器和所述电容器分流开关，并且其中所述隔离电容器和所述电容器分流开关的输出端在信号节点处连接，其中所述第一放大器级还包括连接至所述信号节点的反相器以及连接在所述信号节点与所述反相器的输出端之间的反相器分流开关。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
