[发明专利]半导体存储单元及其制造方法以及半导体存储装置

摘要

本发明的半导体存储单元具备由第1场效应晶体管构成的存储器元件(21)和由的第2场效应晶体管构成的选择开关元件(22)，第1场效应晶体管用铁电体膜构成栅极绝缘膜(13)，第2场效应晶体管用顺电体膜构成栅极绝缘膜(16)，铁电体膜和顺电体膜隔着由化合物半导体构成的半导体膜(14)而层叠。在铁电体膜侧形成第1场效应晶体管的第1栅极电极(12)，在顺电体膜侧与第1栅极电极(12)相对置地形成第2场效应晶体管的第2栅极电极(17)，半导体膜(14)构成第1以及第2场效应晶体管的公共的沟道层。

主权项

一种半导体存储单元，具备由第1场效应晶体管构成的存储器元件和由第2场效应晶体管构成的选择开关元件，所述第1场效应晶体管用铁电体膜构成栅极绝缘膜，所述第2场效应晶体管用顺电体膜构成栅极绝缘膜，其中，所述铁电体膜和所述顺电体膜隔着由化合物半导体构成的半导体膜而层叠，在所述铁电体膜侧形成所述第1场效应晶体管的第1栅极电极，在所述顺电体膜侧与所述第1栅极电极相对置地形成所述第2场效应晶体管的第2栅极电极，所述半导体膜构成所述第1场效应晶体管以及所述第2场效应晶体管的公共的沟道层。