[发明专利]膜电容器用高介电性膜形成组合物无效
| 申请号： | 200980152187.4 | 申请日： | 2009-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102265362A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 横谷幸治;太田美晴;立道麻有子;小松信之;向井惠吏;高明天 | 申请（专利权）人： | 大金工业株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/20 | 分类号： | H01G4/20;C08J5/18;C08K9/04;C08L27/12;C08L101/00;H01B3/00;H01G4/18;H01B17/56 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明在于提供一种膜电容器用高介电性膜，该膜电容器用高介电性膜不仅以高填充率配合高介电性无机颗粒，而且能够抑制电绝缘性降低，其是通过成形膜电容器用高介电性膜形成组合物而得到的，该膜电容器用高介电性膜形成组合物含有热塑性树脂(A)和以电容率(20℃、1kHz)10以下的低介电性化合物(b2)对电容率(20℃、1kHz)100以上的高介电性无机颗粒(b1)的表面进行表面处理而得到的表面处理高介电性无机颗粒(B)。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 器用 高介电性膜 形成 组合 | ||
【主权项】：
一种膜电容器用膜形成组合物，其特征在于：含有热塑性树脂(A)和以电容率(20℃、1kHz)为10以下的低介电性化合物(b2)对电容率(20℃、1kHz)为100以上的高介电性无机颗粒(b1)的表面进行表面处理而得到的表面处理高介电性无机颗粒(B)。
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