[发明专利]射频溅射配置有效
| 申请号： | 200980152510.8 | 申请日： | 2009-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102265375A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 乔更·威查特;亨氏·费尔 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康巴尔查斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/34 | 分类号： | H01J37/34 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 列支敦士登巴尔*** | 国省代码： | 列支敦士登;LI |
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| 摘要： | 本发明提供一种射频溅射装置，此装置包括真空腔室、第一电极、对应电极及射频产生器。第一电极具有第一表面，其配置于真空腔室内，对应电极具有表面，其配置于真空腔室内，射频产生器是用以施加RF电场，其穿过第一电极与对应电极，以开始产生等离子于第一电极与对应电极之间。其中，对应电极包括至少二凹部，其互通于真空腔室，每一凹部的尺寸是允许等离子形成于凹部中。本发明可减少对应电极的溅射可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 溅射 配置 | ||
【主权项】：
一种溅射装置，其特征在于：所述装置包括：真空腔室，是由侧壁、底部和遮盖单元所定义；第一电极，具有第一表面，其配置于所述真空腔室内；对应电极，具有一表面，其配置于所述真空腔室内；以及射频产生器，用以施加射频电场，其穿过所述第一电极与所述对应电极，以开始产生等离子于所述第一电极与所述对应电极之间；其中，所述对应电极包括至少二凹部，其互通于所述真空腔室，每一所述凹部的尺寸是允许等离子形成于所述凹部中。
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