[发明专利]热固型芯片接合薄膜无效
| 申请号： | 200980152612.X | 申请日： | 2009-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102265388A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 林美希;高本尚英;大西谦司 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;C09J7/00;C09J11/04;C09J133/04;C09J161/06;C09J163/00;H01L21/301 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供兼具半导体装置的制造所需的储能模量和高胶粘力的热固型芯片接合薄膜以及具有该热固型芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜。本发明的热固型芯片接合薄膜，在半导体装置的制造时使用，其中，至少含有环氧树脂、酚醛树脂、丙烯酸类共聚物及填料，80℃～140℃下的热固化前的储能模量在10kPa～10MPa的范围内，175℃下的热固化前的储能模量在0.1MPa～3MPa的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 热固型 芯片 接合 薄膜 | ||
【主权项】：
一种热固型芯片接合薄膜，在半导体装置的制造时使用，其中，至少含有环氧树脂、酚醛树脂、丙烯酸类共聚物及填料，80℃～140℃下的热固化前的储能模量在10kPa～10MPa的范围内，175℃下的热固化前的储能模量在0.1MPa～3MPa的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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