[发明专利]用于精炼冶金级硅以生产太阳能级硅的方法和设备无效
| 申请号： | 200980152614.9 | 申请日： | 2009-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102369301A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 弗雷德里克·施密德;大卫·B·乔伊斯 | 申请（专利权）人： | GT晶体系统有限责任公司 |
| 主分类号： | C22B5/04 | 分类号： | C22B5/04;C01B33/037;C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 刘慧;杨青 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用于精炼冶金硅以生产用于光伏电池的太阳能级硅的方法和设备。在真空炉中的坩埚容纳冶金硅与诸如二硅化钙的还原剂的混合物。使该混合物在非氧化条件下在炉内在氩气分压下熔融。熔融之后，使氩气分压降低以产生沸腾且该方法以定向凝固结束。该方法将诸如磷的杂质减少到与太阳能级硅相容的含量并显著减少其它杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 精炼 冶金 生产 太阳 能级 方法 设备 | ||
【主权项】：
在包括加热区的反应器中精炼冶金级硅以从其中除去杂质的方法，所述方法包括以下步骤：A)选择用于还原至少一种杂质的还原化合物，B)混合所述硅与所选的还原化合物，C)在非氧化环境中在升高的温度和在使所述还原化合物的挥发减至最小的减压的条件下精炼所述硅与还原化合物的混合物，和D)此后定向凝固精炼过的材料，由此在所述精炼和冷却期间发生杂质的分离。
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