[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200980152766.9 | 申请日： | 2009-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102265474A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 梶谷亮;田村聪之;春日井秀纪 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01L21/28;H01L21/306;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 氮化物半导体装置具备：在基板(101)上形成的第一氮化物半导体层(107)、在第一氮化物半导体层(107)上形成的缺陷导入层(108)、以及在缺陷导入层(108)上接触形成的具有露出缺陷导入层(108)的开口部的第二氮化物半导体层(109)。缺陷导入层(108)与第一氮化物半导体层(107)以及第二氮化物半导体层(109)相比，结晶缺陷密度较大。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体装置，具备：第一氮化物半导体层，其形成在基板上；缺陷导入层，其形成在所述第一氮化物半导体层上；和第二氮化物半导体层，其在所述缺陷导入层上接触地形成，并具有用于露出所述缺陷导入层的开口部，所述缺陷导入层与所述第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层相比，结晶缺陷密度大。
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