[发明专利]用于物理不可复制功能的物理结构有效
| 申请号： | 200980153014.4 | 申请日： | 2009-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102265395A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 阿尔瑙德·劳伦·罗塞特;琳达·范勒肯-彼得斯;罗伯特斯·亚德里恩斯·玛丽亚·沃特斯 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，包括用于物理不可复制功能的物理结构(50)，其中物理结构(50)包括钛酸铅锆层(25)以及在钛酸铅锆层(25)上沉积的含硅电介质层(27)，其中含硅电介质层(27)具有粗糙的表面(SR)，物理结构(50)还包括设置在含硅电介质层(27)的粗糙表面(SR)上的导电层(30)。本发明还涉及一种制造这种半导体器件的方法。本发明也涉及一种包括这种半导体器件的例如智能卡之类的卡和RFID标签。发明人已经发现使用气相沉积在钛酸铅锆层(25)上沉积含硅电介质层(27)产生了具有粗糙表面(SR)的含硅电介质层(27)。可以将这种粗糙表面(SR)用于PUF，以使得通过在粗糙表面(SR)上沉积导电层(30)来实现具有可变随机值的电阻器(R)。可选地，可以在PUF使用两个层(25、27)的组合作为复合电介质来实现具有可变随机电容值的电容器(C)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 物理 不可 复制 功能 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括用于物理不可复制功能的物理结构(50)，其中所述物理结构(50)包括钛酸铅锆层(25)以及在所述钛酸铅锆层(25)上沉积的含硅电介质层(27)，其中所述含硅电介质层(27)具有粗糙的表面(SR)，所述物理结构(50)还包括设置在所述含硅电介质层(27)的粗糙表面(SR)上的导电层(30)。
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