[发明专利]表面功能化的纳米颗粒有效
申请号: | 200980153629.7 | 申请日: | 2009-11-03 |
公开(公告)号: | CN102272217B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 奈杰尔·皮克特;马克·克里斯托夫·麦克莱恩;史蒂文·马修·丹尼尔斯;伊姆兰纳·穆什塔克;保罗·格拉韦 | 申请(专利权)人: | 纳米技术有限公司 |
主分类号: | C08K9/04 | 分类号: | C08K9/04;C09C1/04;C09C1/10;C09C1/14;C09C1/40;C09C3/08 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 英国曼*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及表面功能化的纳米颗粒的生产方法,例如整合表面结合官能团的半导体量子点纳米颗粒的生产,所述官能团使量子点能整合到硅酮聚合物中,其随后可用于诸如LED的电子装置的加工。 | ||
搜索关键词: | 表面 功能 纳米 颗粒 | ||
【主权项】:
用于将表面功能化的纳米颗粒整合到硅酮聚合物材料中的方法,该方法包括:使生长中的纳米颗粒与整合有纳米颗粒结合基团和硅酮聚合物结合基团的纳米颗粒表面结合配基反应,所述反应在允许所述表面结合配基与生长中的纳米颗粒结合的条件下进行,以产生所述的表面功能化的纳米颗粒,和使所述表面功能化的纳米颗粒的硅酮聚合物结合基团与所述硅酮聚合物材料反应,其中所述纳米颗粒包含一种或多种下列半导体材料:CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、InP、InAs、InSb、AlP、AlS、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、PbS、PbSe、Si、Ge、MgS、MgSe、MgTe及其组合。
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