[发明专利]具有边缘光提取的拼接OLED装置有效
| 申请号： | 200980154398.1 | 申请日： | 2009-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102272974A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·尤金·米勒;约翰·威廉·哈默;罗纳德·史蒂文·科克 | 申请（专利权）人： | 全球OLED科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;吕俊刚 |
| 地址： | 美国弗*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种区域发射发光二极管(LED)装置(10)包括：基板(30)，该基板(30)具有内基板表面(34)、与该内基板表面相对的外基板表面(35)、以及基板边缘(36)；在所述内基板表面(34)上形成的区域发射LED像素(14)的阵列，并且在所述基板边缘(36)与所述内基板表面(34)上最靠近所述基板边缘(36)的LED像素(14A)之间具有边缘间隙(20)；以及被形成在所述边缘间隙(20)中并且至少部分地在所述LED像素(14、14A)外部的光提取结构(60)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 边缘 提取 拼接 oled 装置 | ||
【主权项】：
一种区域发射发光二极管(LED)装置，该区域发射发光二极管装置包括：a)基板，其具有内基板表面、与该内基板表面相对的外基板表面、以及基板边缘；b)形成在所述内基板表面上的区域发射LED像素的阵列，在所述基板边缘与所述内基板表面上最靠近所述基板边缘的LED像素之间具有边缘间隙；以及c)光提取结构，其被形成在所述边缘间隙中并且至少部分地在所述LED像素的外部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择
