[发明专利]用于降低装载锁中的压力的方法和相关设备无效
申请号: | 200980154661.7 | 申请日: | 2009-12-18 |
公开(公告)号: | CN102282663A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | J·布努阿尔;J-M·福雷 | 申请(专利权)人: | 阿迪森真空产品公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/00;C23C14/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 杨晓光;于静 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及一种用于将设备装载锁中的压力从大气压降低至低于大气压的传送压力的方法,所述锁包括其中以大气压放置了至少一个基板的室,所述方法包括:第一步骤(101),其中,利用泵送速度受限的主泵执行从大气压至第一特征阈值的第一主泵送,同时将涡轮分子泵送与所述室隔离开;第一步骤(101)之后的第二步骤(102),其中,执行比所述第一步骤中更快的至第二特征阈值的第二主泵送,同时维持涡轮分子泵送的隔离;所述第二步骤(102)之后的第三步骤(103),其中,借助于位于所述第一泵送上游的所述涡轮分子泵送来执行次级泵送,并且所述室与所述主泵隔离开。本发明还涉及一种用于实现所述方法的设备。 | ||
搜索关键词: | 用于 降低 装载 中的 压力 方法 相关 设备 | ||
【主权项】:
一种用于将设备的装载锁中的压力从大气压降低到低于大气压的传送压力的方法,所述装载锁(2)包括其中以大气压放置至少一个基板(4)的室(3),和具有主泵(14)和涡轮分子泵(15)的气体泵送系统(13),该涡轮分子泵的吸入口(17)经由第一隔离阀(18)连接到所述室(3)并且其排放侧(19)在所述主泵(14)的上游连接到主泵送电路(20),所述气体泵送系统(13)还包括所述涡轮分子泵(15)的旁通电路(21),该旁通电路一方面与位于所述第一隔离阀(18)上游的所述室通信,另一方面与所述主泵送电路(20)通信,所述旁通电路(21)包括第二隔离阀(22),该第二隔离阀包括能被激活的限流装置,并且所述主泵送电路(20)包括位于所述涡轮分子泵(15)的排放侧(19)与所述旁通电路(21)之间的第三隔离阀(23),所述方法包括:‑第一步骤(101),其中,所述第一和第三隔离阀(18、23)被关闭,而其限流装置被激活的所述第二隔离阀(22)被打开,从而通过其泵送速度受限的所述主泵(14)的所述旁通电路(21)来执行从大气压至第一特征阈值的第一主泵送,工作状态下的所述涡轮分子泵(15)的所述吸入口(17)与所述室(3)隔离开并且该涡轮分子泵(15)的所述排放侧(19)与所述主泵(14)隔离开,‑所述第一步骤(101)之后的第二步骤(102),其中,所述第二隔离阀(22)的限流装置被禁用从而执行比所述第一步骤中更快的至第二特征阈值的第二主泵送,同时维持涡轮分子泵送的隔离,和‑所述第二步骤(102)之后的第三步骤(103),其中,所述第一和第三隔离阀(18、23)被打开而所述第二隔离阀(22)被关闭,从而借助于位于所述主泵送上游的所述涡轮分子泵送来执行次级泵送,其中所述室(3)与所述主泵(14)隔离开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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